PCBA加工中，摩擦起電和人體帶電常有發(fā)生，PCBA產(chǎn)品在生產(chǎn)、包裝運(yùn)輸及裝聯(lián)成整機(jī)的加工、調(diào)試、檢測(cè)的過(guò)程中，難免受到外界或自身的接觸摩擦而形成很高的表面電位。如果操作者不采取靜電防護(hù)措施，人體靜電電位可高達(dá)1.5~3kV因此無(wú)論摩擦起電還是人體靜電，均會(huì)對(duì)靜電敏感電子器件造成損壞。根據(jù)靜電的力學(xué)和放電效應(yīng)，其靜電損壞大體上分為兩類，這就是由靜電引起的塵埃的吸附，以及由靜電放電引起的敏感元器件的擊穿。

1.靜電吸附：

在半導(dǎo)體和半導(dǎo)體器件制造過(guò)程廣泛采用SiO2及高分子物質(zhì)的材料，由于它們的高絕緣性，在生產(chǎn)過(guò)程中易積聚很高的靜電，并易吸附空氣中的帶電微粒，導(dǎo)致半導(dǎo)體介面擊穿、失效。為了防止危害，半導(dǎo)體和半導(dǎo)體器件的制造必須在潔凈室內(nèi)進(jìn)行。同時(shí)，潔凈室的墻壁、天花板、地板和操作人員及一切工具、器具均應(yīng)采取防靜電措施。

2.靜電擊穿和軟擊穿：

超大規(guī)模集成電路集成度高，輸入阻抗高，這類器件受靜電的損害越來(lái)越明顯。特別是金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）器件，受靜電擊穿的概率更高。

現(xiàn)以MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）為例予以說(shuō)明:MOS場(chǎng)效應(yīng)管的鋁柵覆蓋在SiO2膜上，并蓋住整個(gè)溝道，由于硅氧化膜絕緣性能好，使器件的輸入阻抗高達(dá)1012Ω以上，當(dāng)鋁柵上出現(xiàn)靜電荷時(shí)，SiO2薄膜的高阻抗使其無(wú)從泄漏，于是就積聚在鋁柵上。此時(shí)鋁柵和SiO2膜以及半導(dǎo)體溝道三者相當(dāng)于一個(gè)平板電容器，且SiO2膜的厚度僅有103A，其耐壓值僅為80~100V，而場(chǎng)效應(yīng)管輸入電容值只有3pF，即使是微量的電荷也會(huì)使電壓升高，當(dāng)電壓超過(guò)100V時(shí)，會(huì)導(dǎo)致SiO2膜被擊穿，致使柵溝相通，器件受損。電壓擊穿時(shí)，往往是SiO2膜的個(gè)別點(diǎn)上在某一過(guò)電壓下出現(xiàn)網(wǎng)點(diǎn)擊穿，以后只要在較低的電壓下，即出現(xiàn)大片區(qū)域的雪崩式擊穿，造成永久性失效。有時(shí)高壓靜電會(huì)直接將芯片內(nèi)引線損壞，使IC永久性失效。

靜電放電對(duì)靜電敏感器件的損害主要表現(xiàn)為：

• 硬擊穿。一次性造成整個(gè)器件的失效和損壞。

• 軟擊穿。造成器件的局部損傷，降低了器件的技術(shù)性能，而留下不易被人們發(fā)現(xiàn)的隱患，以致設(shè)備不能正常工作。軟擊穿帶來(lái)的危害有時(shí)比硬擊穿更危險(xiǎn)，軟擊穿初期器件性能稍有下降，在使用過(guò)程中，隨著時(shí)間的推移，發(fā)展為元器件的永久性失效，并導(dǎo)致設(shè)備受損。

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靜電導(dǎo)致器件失效的機(jī)理大致有下面兩個(gè)原因:因靜電電壓而造成的損害，主要有介質(zhì)擊穿、表面擊穿和氣弧放電；因靜電功率而造成的損害，主要有熱二次擊穿、體積擊穿和金屬噴鍍?nèi)廴凇?/p>

在生產(chǎn)中，人們又常把對(duì)靜電反應(yīng)敏感的電子器件稱為靜電敏感器件（Static Sensitive Device，SSD）。這類電子器件主要是指超大規(guī)模集成電路，特別是金屬氧化膜半導(dǎo)體（MOS）器件