表面組裝元器件發(fā)展至今,已有多種類型封裝的SMC/SMD 用于電子產(chǎn)品的生產(chǎn),如圖1-1-4 所示。IC 引腳間距由最初的1.27mm 發(fā)展至0.8mm,0.65mm,0.4mm 和0.3mm,SMD器件由SOP(Small Outline Package,小外形封裝)發(fā)展到BGA(Ball Grid Array,球柵陣列封裝)、CSP(Chip Scale Package,芯片級封裝)以及FC(Flip Chip,倒裝焊裸芯片),其指導(dǎo)思想仍是I/O 越來越多,可靠性越來越好。
多種多樣的SMC/SMD封裝
新型器件的出現(xiàn)必然帶來眾多的優(yōu)越性,如CSP 不僅是一種芯片級的封裝尺寸,而且是可確認的優(yōu)質(zhì)芯片,具有體積小、質(zhì)量輕、超?。▋H次于FC)等優(yōu)點,但也存在一些問題,特別是能否適應(yīng)大批量生產(chǎn)。一種新型封裝結(jié)構(gòu)的器件,盡管有無限的優(yōu)越性,但如果不能解決工業(yè)化生產(chǎn)的問題,就不能稱為好的封裝。CSP 就是因其制作工藝復(fù)雜,即制作中需要用微孔基板,否則難以實現(xiàn)芯片與組件板的互連,從而制約了它的發(fā)展。新型的IC 封裝的趨勢是尺寸必然更小、I/O 更多、電氣性能更高、焊點更可靠、散熱能力更強,并能實現(xiàn)大批量生產(chǎn)。
1、MCM(Multi Chip Module,多芯片組件)級的模塊化芯片
目前,MCM 是以多芯片組件形式出現(xiàn)的,一旦它的功能具有通用性,組件功能就會演化成器件的功能,它不僅具有強大的功能,而且具有互換性,并能實現(xiàn)大批量生產(chǎn)。
2、芯片電阻網(wǎng)絡(luò)化
目前已經(jīng)面世的電阻網(wǎng)絡(luò)由于標準化和設(shè)計限制,尚未能廣泛推廣,若在芯片上集成無源組件,再隨芯片一起封裝,將會使器件的功能更強大。
3、SIP(System in Package,系統(tǒng)級封裝)
SIP 稱為系統(tǒng)級封裝或封裝內(nèi)系統(tǒng),是多芯片封裝進一步發(fā)展的產(chǎn)物。SIP 中可封裝不同類型的芯片,芯片之間可進行信號存取和交流,從而實現(xiàn)一個系統(tǒng)所具備的功能。
4、SoC(System on Chip,系統(tǒng)級芯片)
SoC 稱為芯片上系統(tǒng),又稱為系統(tǒng)級芯片,它的意義就是在單一芯片上具備一個完整的系統(tǒng)運作所需的IC,這些主要IC 包括處理器,輸入/輸出裝置,將各功能組快速連接起來的邏輯線路、模擬線路,以及該系統(tǒng)運作所需要的內(nèi)存。這種將系統(tǒng)級的功能模塊集成在一塊芯片上使集成度更高,器件的引出端數(shù)為300~400,是典型的硅圓片級封裝。
5、SOl(Silicon On lnsulator,硅絕緣)技術(shù)
對硅芯片技術(shù)的深入研究,使得SOI 技術(shù)得以嶄露頭角,SOI 技術(shù)能與硅集成工藝完全相容,完全繼承了硅材料與硅集成電路的成果,并有自己獨特的優(yōu)勢。
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互補型金屬氧化物半導(dǎo)體)是超大規(guī)模集成電路發(fā)展的主流,硅絕緣CMOS 是全介質(zhì)隔離的,無閂鎖效應(yīng),有源區(qū)面積小,寄生電容小,漏電流小,在集成電路的各個領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。SOI 技術(shù)的成功為三維集成電路提供了實現(xiàn)的可能性,也為進一步提高集成電路的集成度和速度開辟了一個新的發(fā)展方向。因此,SOI 技術(shù)的出現(xiàn)必將會給現(xiàn)有的IC 封裝形式帶來新的挑戰(zhàn)。
6、納米電子器件
納米技術(shù)的研究為微電子技術(shù)開創(chuàng)了新的前途和應(yīng)用領(lǐng)域。美國從1982 年就開始研究量子耦合器件,德國、法國、日本等國家也都在近年加大對納米技術(shù)的投入。美國TI 公司是最早開始研究納米器件的公司,包括量子耦合器件、模擬諧振隧道器件、量子點諧振隧道二極管、諧振隧道晶體管、納米傳感器、微型執(zhí)行器以及與這兩者有關(guān)的MEMS 系統(tǒng)。美國IBM公司與日本日立制作所中央研究所都已研制成功單電子晶體管、量子波器件。
表面組裝元器件的發(fā)展隨著芯片內(nèi)容的增多,I/O 端子數(shù)也增多,必將帶來芯片封裝形式的改進,在新材料、新技術(shù)不斷涌現(xiàn)的情況下,必將會出現(xiàn)性能更優(yōu)、組裝密度更高的新的封裝形式。
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