OFweek電子工程網(wǎng)訊 化合物半導(dǎo)體是區(qū)別于硅(Si)和鍺(Ge)等傳統(tǒng)單質(zhì)的一類半導(dǎo)體材料,主要包括砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)等。相對于硅材料,化合物半導(dǎo)體性能更加優(yōu)異,制作出的器件相對于硅器件具有更優(yōu)異的光電性能、高速、高頻、大功率、耐高溫和高輻射等特征。
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當(dāng)前,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于深度變革,化合物半導(dǎo)體成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的關(guān)注點(diǎn),我國應(yīng)加緊產(chǎn)業(yè)布局,搶占發(fā)展的主動(dòng)權(quán)。
集成電路產(chǎn)業(yè)深刻變革驅(qū)動(dòng)化合物半導(dǎo)體市場發(fā)展。一是集成電路產(chǎn)業(yè)遵循“摩爾定律”演進(jìn)趨緩,以新材料、新結(jié)構(gòu)以及新工藝為特征的“超越摩爾定律”成為產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展重心。二是曾經(jīng)驅(qū)動(dòng)集成電路市場高速增長的PC和智能手機(jī)市場疲軟,未來5G和物聯(lián)網(wǎng)將成為新風(fēng)口。三是全球能源和環(huán)境危機(jī)突出,能源利用趨向低功耗和精細(xì)管理?;衔锇雽?dǎo)體作為新材料和新器件,在微波通信器件、光電子器件和功率器件中有著同類硅器件所不具備的優(yōu)異性能,將在以上應(yīng)用領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
國內(nèi)外圍繞化合物半導(dǎo)體的并購案頻發(fā)。近年來,國際巨頭企業(yè)紛紛圍繞化合物半導(dǎo)體展開并購,功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者德國英飛凌公司以30億美元收購美國國際整流器公司(IR),取得了其硅基GaN功率半導(dǎo)體制造技術(shù);同年9月,設(shè)計(jì)和制造GaAs和GaN射頻芯片的RFMD公司和TriQuint公司宣布合并為新的RF解決方案公司Qorvo。國內(nèi)企業(yè)和資本也圍繞化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展開收購。
國家“大基金”投資三安光電布局化合物半導(dǎo)體。國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(“大基金”)投資48.39億元入股三安光電,推動(dòng)三安光電下屬三安集成電路公司圍繞GaAs和GaN代工制造,開展境內(nèi)外并購、新技術(shù)研發(fā)、新建生產(chǎn)線等業(yè)務(wù)。同時(shí),國家開發(fā)銀行也以最優(yōu)惠利率向三安提供200億元貸款。
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